据了解，ccd与cmos的技术特点主要在于成像过程、集成度、功耗、性能指标等方面。
成像过程
ccd和cmos使用相同的光敏材料，因而受光后产生电子的基本原理相同，但是读取过程不同：ccd是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移，整个电路非常复杂，读出速率慢；cmos则以类似dram的方式读出信号，电路简单，读出速率高。
集成度
采用特殊制造工艺的ccd读出电路比较复杂，很难将a/d转换、信号处理、自动增益控制、精密放大和存储功能集成到一块芯片上，一般需要多个芯片组合实现，同时还需要一个多通道非标准供电电压。借助于大规模集成制造工艺，cmos图像传感器能非常容易地把上述功能集成到单一芯片上，多数cmos图像传感器同时具有模拟和数字输出信号。
电源、功耗和体积
ccd需多种电源供电，功耗较大，体积也比较大。cmos只需一个单电源（3v~5v）供电，其功耗相当于ccd的1/10,高度集成cmos芯片可以做的相当小。
性能指标
ccd技术已经相当成熟，而cmos正处于蓬勃发展时期，虽然目前高端cmos图像质量暂时不如ccd,但有些指标（如传输速率等方面）已超过ccd。
由于cmos具有诸多优点，国内外许多机构已经应用cmos图像传感器开发出众多产品。
cmos传感器关键技术取得突破
cmos传感器的技术发展跟随摩尔定律快速发展，尤其是几年来在市场需求的推动下，关键技术不断取得突破。对于用户关注的cmos的照度和噪点等问题，实际上可见光下cmos的信噪比远高于ccd。
一方面，随着国际 cmos大厂的不断改进，cmos还继续在成像的通透性、对实物的色彩还原能力等方面迎头赶上。研发了感光度增强技术，进而通过使用大尺寸传感器提高开口率，这正是提高cmos感光能力的最直接办法。即便是在噪音控制方面，有公司将专门的噪声检测算法直接整合于cmos图像传感器的控制逻辑中。通过这项技术，固定噪声就可以成功剔除了。更何况cmos的价格远低于ccd设备。另一方面，在isp中采用多种技术革新，如去噪技术来提升cmos的噪点问题。