sic肖特基二极管优势
sic肖特基二极管应用于一些具有临界效率的电力电子器件中。与传统硅相比，碳化硅具有以下优点：碳化硅的间隙宽度eg几乎是硅的三倍，约为3.26ev，而硅的间隙宽度eg为1.12ev，因此碳化硅的反向电流低得多；
碳化硅的临界击穿电场强度约为硅的9倍，为2.2mv/cm，而硅的临界击穿电场强度为0.25mv/cm。碳化硅半导体的掺杂浓度可以进一步增加，以减小其宽度，宽度与阻挡电压成正比。这意味着与硅基二极管相比，碳化硅二极管的阻抗将显著降低，热导率在3.0-3.8w/cmk之间，而硅的热导率为1.5w/cmk，这意味着相同表面积的半导体芯片的热阻会降低。
碳化硅的优势，其应用范围可以扩展到200v以上。对于不同的应用，碳化硅肖特基二极管具有以下优点：等效电容引起的反向恢复电荷很小，因此反向峰值电流经常出现在硅二极管中，几乎不再存在；无论负载电流或温度变化，反向充电引起的电流变化率di/dt低至零；工作结温可高于200℃。
時科sic肖特基二极管
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sic肖特基二极管的应用
時科新品肖特基可广泛应用于转换器、电焊机、逆变器、工业电源、安防电源、tv、医疗电源。利用具有独特性能的碳化硅作为器件材料，能制造出接近理想功能特性的升压二极管，并适合pfc应用中的各种功率级别。sic肖特基二极管具有的无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和正向电流无关的特性均能减少pfc应用中的功率损耗。这对服务器和高端pc电源来说尤其重要，因为效率提高的要求变得越来越重要，特别是要满足80plus等法规要求时。