n沟道增强型绝缘栅型场效应管是以一块杂质浓度较低的p型半导体作衬底，在它上面扩散两个高浓度的n型区，各自引出一个为源极s和漏极d，在漏极和源极之间有一层绝缘层（ si o 2 ），在绝缘层上覆盖有铝做为栅极g，其结构和符号如图1所示。
如图2所示，当 u gs =0，在ds间加上电压 u ds 时，漏极d和衬底之间的pn结处于反向偏置状态，不存在导电沟道，故ds之间的电流 i d =0。当 u gs 逐渐加大达到某一值（开启电压 u t ）时，由于电场的作用，栅极g与衬底之间将形成一个n型薄层，其导电类型与p型衬底相反，称为反型层。由于这个反型层的存在使得ds之间存在一个导电沟道， i d 开始出现，而且沟道的宽度随 u gs 的继续增大而增大，所以称为增强型场效应管。它的特点是：当 u gs =0， i d =0； u gs ＞ u t ， i d ＞0。
可见增强型绝缘栅场效应管的漏极电流 i d 是受栅极电压 u gs 控制的，它与结型场效应管一样是电压控制型器件，所不同的是它必须在为 u gs 正且大于 u t 时才能工作。