液晶显示器现已成为技术密集，资金密集型*产业，透明导电玻璃则是lcd的三大主要材料之一。液晶显示器之所以能显示特定的图形，就是利用导电玻璃上的透明导电电膜，经蚀刻制成特定形状的电极，上下导电玻璃制成液晶盒后，在这些电极上加适当电压信号，使具有偶极矩的液晶分子在电场作用下特定的方面排列，仅而显示出与电极波长相对应的图形。
在氧化物导电膜中，以掺sn的in2o3（ito）膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出微细的图形。其透过率已达90%以上，ito中其透过率和阻值分别由in2o3与sn2o3之比例来控制，通常sno2：in2o3=1：9。
ito是一种n型氧化物半导体-氧化铟锡，ito薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两回事个主要的性能指针：电阻率和光透过率。
目前ito膜层之电阻率一般在5*10-4左右，最好可达5*10-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ito的导电性能，其透过率则可达90%以上，ito膜之透过率和阻值分别由in2o3与sn2o3之比例控制，增加氧化锢比例则可提高ito之透过率，通常sn2o3： in2o3=1：9，因为氧化锡之厚度超过200?时，通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。
如用是电流平行流经ito脱层的情形，其中d为膜厚，i为电流，l1为在电流方向上膜厚层长度，l2为在垂直于电流方向上的膜层长主，当电流流过方形导电膜时，该层电阻r=pl1/dl2式中p为导电膜 之电阻率，对于给定膜层，p和d可视为定值，p/d，当l1=l2时，怒火正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值p/d，此即方块电阻定义： r□=p/d，式中r□单位为：奥姆/□（ω/□），由此可所出方块电阻与iot膜层电阻率p和ito膜厚d有关且ito膜阻值越低，膜厚越大。
目前在高档stn液晶显示屏中所用ito玻璃，其r□可达10ω/□左右，膜厚为100-200um，而一般低档tn产品的ito玻璃r□为100-300ω/□，膜厚为20-30um。
在进行lcd走线设计时，由ito阻计算方式，可知影响ito阻值有如下因素：
1、ito玻璃之方块电阻
要确保走线电阻小，应酬让ito玻璃方块电阻小，因为r□=p/d，则必须选p小，d适当大些的材料。
2、l1/l2
l1/l2即走线在平行电流方向与垂直电流方向上的长度比，在r□一定时，要保证走线电阻值小，就要让l1/l2小，当l1一定时，只有增大l2，也说法是在设计时，走线应尽可能加宽;而当l2一定时，l1就要小，即走线宽度一定时，细线应尽可能短。
3、在lcd显示屏设计当中，不仅要考虑走线布对ito阻值的影响，还要考虑生产工艺对ito阻值的影响，以便选择适当方块电阻的ito玻璃，以便设计到制作的全面控制，生产高对比的lcd产品，这时高占空比及cog产品无为重要，如ito膜厚的均匀性，因为ito的耙材及工艺的为稳定，会使同样长度与宽度的ito阻值发生变化，如目标值为10ω时，其r□范围在8-12ω之间，所以在生产中要使用ito膜厚均匀的导电玻璃，以减少电阻的变化，其次为ito玻璃的耐高温时性，酸碱性，因为通常lcd生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡，而一般在300°c *30min的环境中，会使r□增大2-3倍，而在10wt%naoh*5min及6wt%hcl*2min（60°c）下也会增到1。1倍左右，由此可知，在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗，若无法避免，则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。
4、由于在液晶显示器中，ito方块电阻等效于电路图中的分压电阻，其阻值大小直接影响电路两端电压的大小，即方块电阻越大，lcd值电压越大。有数据表明，ito之方块电阻由100ω/□降至60ω/□。（cell gap为6um）左右，vth值会降低0。03v左右。