1，现在来说有哪些是scl的ssd硬盘啊看到实物怎么区分这个ssd2，求大神推荐几款ssd硬盘要slcflash芯片的谢谢了3，固态硬盘mlc tlc slc怎么分别4，slc ssd有哪些5，哪种ssd是slc mlc tlc1，现在来说有哪些是scl的ssd硬盘啊看到实物怎么区分这个ssd
淘宝搜索下:工业固态硬盘一盘是scl的.实物分变不出来吧,除非你拆了硬盘看芯片,mlc也不错啊我用的就是mlc的intel 520 120g ssd 在sata3接口 所以也测不了速度，在网上查的速度读写都在500mb/s的.mlc性价比高ssd目前兼容性还很差，操作系统底层接口都基本机械硬盘开发的。
2，求大神推荐几款ssd硬盘要slcflash芯片的谢谢了
哥们根本没必要，桌面级的都是mlc，你是不是觉得3000-1w次的写入寿命太少啊？那你可以买容量大一些的，比如120g以上的，每天写入60g计算，一年才用180多次~ 3000次够你用多少年的~从你的提问来看你是标准的数据党啊，桌面级的ssd全是flash芯片，至于那个dram类的ssd，普通用户根本接触不到这类商品你好！slc的ssd很少，就那么几个牌子，没什么好推荐的，看intel有没有仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。
3，固态硬盘mlc tlc slc怎么分别
1、slc 默认1个存储器储存单元存放1位元，速度快寿命长，价格超贵（约mlc 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命.2、mlc 默认1个存储器储存单元存放2位元，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命.3、tlc 默认1个存储器储存单元存放3位元，也有flash厂家叫8lc，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。每个单元存储的数据比特(位)不一样，其中slc只有一个，mlc是两个，tlc则是三个。据说tlc寿命短 价格也低一点mlc性价比最高 slc速度快成本也高价格贵对于厂商来说 tlc比mlc成本低 目前貌似tlc的ssd也就三星在做 毕竟人家自己有厂 能做闪存颗粒推荐mlc 日常用完全足够 开机快0.1秒慢0.1秒什么的没什么区别1、slc 默认1个存储器储存单元存放1位元，速度快寿命长，价格超贵（约mlc 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命. 2、mlc 默认1个存储器储存单元存放2位元，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10...展开
4，slc ssd有哪些
nand是目前闪存颗粒用的技术，ssd里面的存储颗粒就是一颗颗nand flash（闪存）slc表示一种闪存颗粒的类型，区别是最小存储单元可以存储的数据位数量。如果最小存储单元只区分2个电位（高低电位），等于只能存储0或1，即1位（1bit）数据。这种类型的nand闪存就叫做slc。以此类推，还有mlc：最小存储单元区分4个电位，即00，01，10，11。tlc：区分8个电位。同样一个最小的存储单元，区分的电位越多，存储密度越大。假设一颗slc nand是1gb的话，做成mlc就是2gb，tlc就是3gb。所以slc会比后面的贵得多，容量也不容易做大。但slc好处是：区分的电位越多，每个电位间区别越小，读写速度越慢（难以识别和写入），寿命也越短（损耗一点点就错位了）。所以slc比mlc、tlc速度快，可擦写次数更多。目前的情况是，slc一般用于企业级ssd，以及intel智能响应技术的加速盘。mlc一般用于桌面级ssd。tlc的ssd因为技术和可靠性的原因几乎还没有。但tlc则已经几乎统治了u盘和存储卡市场（因为价格战太厉害，利润太低，没人愿意上好的nand）。所以除非是高速的存储卡，u盘和存储卡存数据是很不可靠的哦。目前已经几乎看不到了，除了服务器，高端用外，还有的一般都是二手diy用了，现在是mlc,tlc，到底这个成本便宜，方便大众化。话说，现在能看到的slc，大部分都是n年前的产品了。太高端的买不起，就不说了。
5，哪种ssd是slc mlc tlc
除了主控芯片和缓存芯片以外，pcb板上其余的大部分位置都是nand flash闪存芯片了。nand flash闪存芯片又分为slc（单层单元）和mlc（多层单元）nand闪存： 1.slc全称是单层式储存 (single level cell），因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的slc nand闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动，所以 英特尔固态硬盘(15张) 其速度表现更好，目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的flash闪存芯片。 2.mlc全称是多层式储存（multi leveled cell），它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息，这样就可以将原本slc的记录密度理论提升一倍。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的mlc nand闪存，其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本，从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过，mlc的缺点也很明显，其写入寿命较短，读写方面的能力也比slc低，官方给出的可擦写次数仅为1万次。 3.tlc即triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低的成本实现更大的容量。具体来讲，slc只有两个电平状态，mlc则为4个，tlc则多达8个，同容量下tlc的die的尺寸比mlc小33%，因此价格也便宜了33%。当然良品率等因素也会对价格产生影响。 由于tlc拥有多达8个电平状态，因此在电位控制上更加复杂，特别是写入速度会大受影响，延迟增加。加之如此多的电平状态，电子一旦溢出变会非常容易导致出错，难以控制，这就是为什么需要更强ecc纠错能力的原因，否则tlc闪存的寿命将会不堪一击。